深圳恒德新能源有限公司

深圳恒德新能源有限公司

引领碳化硅新纪元 · 构筑核心驱动生态

基本半导体 & 青铜剑科技 一级授权核心代理商

第一章 企业引言：立足前沿，驱动新能源未来

在全球能源结构转型与“双碳”目标的深远背景下，第三代半导体材料碳化硅（SiC）凭借其耐高压、耐高温、高频高效的卓越物理特性，正成为电力电子技术革命的核心引擎。作为新能源产业供应链的先锋枢纽，深圳恒德新能源有限公司（以下简称“恒德新能源”）应运而生。我们深耕新能源与高端智能制造领域，致力于为广大企业级客户提供最顶尖、最可靠的功率半导体解决方案。

恒德新能源凭借深厚的行业积淀与强大的技术服务网络，正式荣膺国产SiC碳化硅MOSFET第一股——基本半导体（BASiC Semiconductor），以及国产SiC模块第一股及配套驱动板龙头——青铜剑科技（Bronze Technologies）的一级授权代理商。我们不仅是高端碳化硅元器件的供应链枢纽，更是深谙底层技术逻辑、提供从器件选型到应用落地全流程技术支持的核心合作伙伴。

企业愿景：依托基本半导体与青铜剑科技的雄厚研发实力，恒德新能源致力于成为国内最专业、最高效的碳化硅功率器件与生态级驱动一站式服务平台。

第二章 战略合作巨头：强强联手，铸就产业高地

2.1 国产SiC第一股——基本半导体（BASiC Semiconductor）

基本半导体是中国第三代半导体行业的绝对领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司掌握碳化硅核心技术，研发实力全面覆盖了从芯片设计、晶圆制造、封装测试到驱动应用等产业链的核心关键环节。作为国家级专精特新重点“小巨人”企业，基本半导体在全球多地（如深圳、北京、上海、无锡、名古屋等地）设有研发中心和高端制造基地。

其全矩阵产品线涵盖了650V至1700V电压等级的碳化硅MOSFET、极低反向恢复损耗的碳化硅肖特基二极管（SBD）、代表顶尖封装工艺的汽车级及工业级全碳化硅功率模块等，核心技术指标屡次打破行业纪录，稳居国际先进水平。

2.2 国产驱动板龙头——青铜剑科技（Bronze Technologies）

青铜剑科技是国内首屈一指的功率半导体驱动解决方案提供商，被业界公认为国产SiC模块及配套驱动板的龙头标杆企业。面对碳化硅器件极高的开关速度以及由此带来的极具挑战性的电磁兼容与瞬态保护难题，青铜剑科技针对复杂多变的工业及车规级应用场景，研发出了一系列具备即插即用功能、超高隔离耐压、极速智能故障保护的高性能驱动板及底层核心驱动IC芯片。

青铜剑的驱动方案与基本半导体的SiC模块形成“原厂级”的无缝完美契合，能够最大程度、最安全地释放碳化硅器件的高频、高效潜能，是所有尖端电力电子系统安全、稳定运行的最强“中枢大脑”。

第三章 核心代理矩阵：基本半导体SiC单管与模块

作为基本半导体的核心授权代理商，恒德新能源全面代理其全系列碳化硅功率半导体产品。我们致力于为光伏储能、高频特种电源以及要求严苛的新能源汽车主驱逆变器提供最极致的元器件配置。

3.1 第三代 SiC MOSFET 单管分立器件

基本半导体的第三代（B3M系列）碳化硅MOSFET产品基于业界先进的6英寸晶圆平台开发并已实现超大规模量产。这一代产品在比导通电阻方面取得了突破性进展，有源区比导通电阻 Ronsp ≈ 2.5 mΩ·cm²，成功跻身国内外碳化硅设计和制造的最高梯队。其关键性能优势体现在：

革命性的开关性能： 综合品质因数（FOM = RDS(ON) × QG）较上一代产品大幅降低了30%以上。这直接赋予了器件在极高频率下运行的能力，开关损耗降至冰点。

无与伦比的一致性： 器件的阈值电压（VGS(th)）和导通电阻（RDS(on)）的生产分布偏差极小，无需客户进行复杂的参数分选，即可直接进行多管并联设计，大幅降低了BOM成本与制造难度。

极致的可靠性保障： 拥有超高的击穿电压（BV）设计裕量（如1200V器件实际击穿电压通常在1600V以上）以及极低的常温与高温漏电流。同时，研发团队优化了 Ciss / Crss 比值，从底层物理结构上大幅降低了系统在剧烈串扰行为下的误导通风险。

恒德提供全面的封装组合，涵盖适用于高功率密度的顶部散热封装（如TOLT、TO-247PLUS-4）、高频底部散热表面贴装（TOLL, TO-263-7, QDPAK）以及传统的插件封装（TO-247-3, TO-247-4），电压等级横跨650V至1700V。

3.2 旗舰级工业全碳化硅功率模块

在工业级大功率模块化应用中，基本半导体将车规级严苛的设计理念与精湛的材料科学引入工业产品线，打造出极具市场颠覆性的产品。恒德新能源重磅主推以下模块矩阵：

34mm 与 62mm 高频经典半桥模块： 以 BMF80R12RA3（34mm, 1200V/80A）与 BMF540R12KA3（62mm, 1200V/540A）为代表。这些模块摒弃了传统的陶瓷材料，全面采用了具有极高抗弯强度（高达 700 N/mm²）的高性能 Si3N4（氮化硅）AMB 陶瓷覆铜板，并引入高温焊料。这使得模块的热导率极大提升，且在经历1000次极端的温度冲击循环后，依然能保持完美的结合强度，彻底告别分层隐患。

卓越的仿真数据支撑： 依据实测与 PLECS 仿真，在20kW的硬开关逆变焊机应用中，BMF80R12RA3 模块将开关频率从传统 IGBT 的20kHz轻松拉升至80kHz，不仅缩小了无源器件体积，其半桥总损耗竟只有 1200V/100A 高速IGBT的一半左右，整机效率提升高达1.58个百分点。

Pcore™2 E2B 系列半桥模块： 例如 BMF240R12E2G3（1200V, 240A）。该模块内部巧妙集成了 SiC SBD（肖特基势垒二极管），使得体二极管管压降极低且基本消除反向恢复时间。最令人瞩目的是，其开通损耗（Eon）呈现极为罕见的负温度特性——即随着结温的升高，开关损耗反而急剧下降（高温下 Eon 可降至常温的五分之一左右）。在125kW工商业储能 PCS 的仿真中，在高达40kHz的载频下，该模块在120%过载工况下的最高结温仍能稳定在安全范围内。

先进拓扑专用模块： 对于具有极致效率追求的光伏逆变器和固态断路器，我们提供内部集成双三相桥的 EP2 模块、具有飞跨电容三电平升压（ANPC/MPPT）拓扑的 E3B 模块（如BMFC3L120R14E3B3，耐压1400V），以及双向共源极拓扑模块（L3封装），为系统级创新扫平物理障碍。

3.3 新能源汽车级功率模块与混管技术

面对高速增长的新能源乘用车主驱逆变器市场，恒德新能源代理的 Pcore™6 系列 HPD 与 HPD Mini 模块表现耀眼。这些模块采用了业界最尖端的有压型纳米银烧结工艺与直接水冷的 PinFin 散热基板，其可靠性全面超越了严苛的 AQG-324 行业标准。

同时，为兼顾性能与成本，我们隆重推出混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC）。例如 BGH75N65HF1，创新地将最新的场截止 Si IGBT 技术与 SiC SBD 续流二极管封装在同一个 TO-247 管壳内。在车载充电机（OBC）、UPS和储能系统中，混合管能在不增加系统成本的前提下，利用 SiC 极小的反向恢复电流大幅削减 IGBT 的开通损耗，成为高频硬开关拓扑的绝佳“平替”方案。

第四章 核心配套：青铜剑科技“即插即用”驱动生态

碳化硅的极速开关特性（高达数 kV/μs 的 dv/dt）是一把双刃剑。如果没有强悍的门极驱动作为“缰绳”，系统将面临极大的电磁干扰与击穿风险。恒德新能源依托青铜剑科技的深厚研发底蕴，为您提供完美驯服 SiC 的全生态驱动方案。

4.1 “米勒钳位”：守护桥臂安全的终极堡垒

在所有半桥或全桥电路中，“米勒效应”是悬在 SiC 开发者头顶的达摩克利斯之剑。当桥臂中点电压发生极高速的阶跃时，寄生电容（Cgd）会产生巨大的米勒位移电流（Igd = Cgd × dv/dt），这个电流流经关断侧的栅极电阻，极易在栅极产生一个正向尖峰电压。鉴于 SiC MOSFET 在高温下的阈值电压（VGS(th)）较低，这个尖峰很容易导致关断侧的管子发生灾难性的误导通（桥臂直通）。

青铜剑科技的驱动解决方案全系搭载了“有源米勒钳位（Active Miller Clamp）”黑科技。 驱动芯片通过专用的 Clamp 引脚直接监测 SiC 栅极电压。在关断期间，当监测到栅极电压下降至 2V 时，芯片内部将瞬间开启一个大电流旁路 MOSFET（如 T5），以极其微小的阻抗将栅极硬性拉低至绝对安全的负压电源轨（如 -4V），以雷霆万钧之势将米勒电流完全吸收，彻底根除直通风险。

4.2 定制化“即插即用”模块驱动板

为了让客户实现 SiC 模块的“零门槛”使用，青铜剑科技推出了无懈可击的 Plug-and-Play 驱动板阵列：

BSRD-2427（适用34mm）： 单通道输出功率2W，内置驱动芯片直接输出峰值拉灌电流高达10A，无需任何外置推挽功率管即可直接驱动 BMF80R12RA3 等大电流模块。

BSRD-2503（适用62mm）： 专为 1200V/540A 级别的 62mm 模块打造，完美贴合模块尺寸，兼具出色的驱动性能与优异的抗噪布局。

2CP0225Txx 系列（适用ED3/E2B）： 采用青铜剑科技全自主研发的控制ASIC与CPLD智能逻辑，单通道功率提升至 4W，峰值驱动电流高达 25A，并集成了超高精度的 DESAT 软关断与短路保护、过温保护以及数字通信接口。

4.3 构建驱动底座：核心驱动IC与DCDC芯片

对于具备自主研发能力的顶尖客户，我们全面提供青铜剑原厂级的底层控制核心芯片：

隔离驱动IC系列： 包括单通道的 BTD5350MCWR 和双通道的 BTD25350 系列。芯片绝缘耐压高达 5000Vrms，具备强大的抗共模瞬态干扰（CMTI）能力，自带防桥臂直通的死区联锁（Interlock）逻辑与精准的 UVLO（欠压锁定）保护。其中，BTD21750系列更集成了智能DESAT短路保护与模拟量隔离转换PWM功能。

正激隔离 DCDC 芯片（BTP1521F/P）： 这是一款专为产生隔离栅极驱动电源而生的微型芯片。在不到 3mm × 3mm 的 DFN 极小封装内，支持 6W 输出功率，工作频率高达 1.3MHz。其特有的裸露散热焊盘设计，配合推荐的 TR-P15DS23-EE13 变压器，能够极其稳定地输出如 +18V / -4V 的不对称双路电压，为每一次开关动作注入澎湃动力。

第五章 坚如磐石：严苛的车规级可靠性标杆

恒德新能源所交付给客户的每一颗基本半导体的元器件，其背后都承载着超越行业标准的严酷试炼。其可靠性测试体系全面对齐甚至超越了国际顶级标准 AEC-Q101、JEDEC 与 MIL-STD-750。

5.1 逾越红线的长效应力测试

在常规标准中，高温反偏（HTRB）与高压高湿高温反偏（HV-H3TRB）通常只要求进行 1000小时 的测试。然而，基本半导体的加严验证中，器件在高达 Tj = 175°C，并施加 110% 标称击穿电压（如1200V器件施加1320V电压）的极端摧残下，持续时间被延长至 2500小时（相当于标准寿命的四倍以上）。在如此严苛的拷问后，器件的漏电流增量（ΔIDSS）依然小于 1μA，导通电阻（RDS(on)）与阈值电压的漂移幅度稳定在 5% 以内，展现出令人惊叹的稳定性。

5.2 挑战物理极限的栅氧层寿命预测（TDDB）

栅氧化层的可靠性是决定碳化硅寿命的命门。通过最先进的栅极氧化层经时击穿（Time-Dependent Dielectric Breakdown, TDDB）实验分析证实：在 175°C 的极限工作温度下，若给基本半导体的栅极施加极端的 20V 过压驱动，其推算的本征无故障运行时间仍大于 10^8 小时（约1.1万年）；而在标准的 18V 正常驱动电压下，寿命预测更是突破了惊人的 2 × 10^9 小时（超22万年）。这意味着在任何产品生命周期内，基本半导体的栅极几乎等同于“永不损坏”。

第六章 赋能全场景应用，推动产业升级

立足于基本半导体与青铜剑科技构筑的技术壁垒，深圳恒德新能源有限公司正在深度赋能全社会的新能源转型，将碳化硅的效率奇迹播撒至各个关键领域：

超级快充与光储网络： 面对液冷超充与高压储能（1500V系统）的需求爆发，我们的 E2B 与 ED3 模块配合高频智能驱动板，大幅降低了系统的换流损耗，缩减了散热器的庞大体积，助力充电桩企业向兆瓦级超充平滑演进。

新能源汽车动力总成： 车规级 HPD 模块与定制化的高 CMTI 隔离驱动构成的黄金组合，极大提升了车辆在加速、制动、能量回收等瞬态工况下的系统效率，直接贡献于整车续航里程的延长。

高端装备制造： 在大功率电磁感应加热、高频激光焊接、轨道交通辅助牵引变流器等工业场景，碳化硅的高压、高频特性促成了设备的极致轻量化设计，将沉重、笨拙的传统电力电子设备带入数字化、模块化的崭新时代。

第七章 恒德服务体系：您的价值伙伴

作为一级授权代理商，深圳恒德新能源有限公司秉承“专业、诚信、高效、共赢”的理念，构建了与众不同的客户服务体系：

一站式“生态级”采购体验： 我们深度整合了从底层芯片、离散器件、大功率模块到配套驱动IC、隔离变压器、DCDC 电源芯片及成品驱动板的全套资源。客户无需在多家供应商间疲于奔命，即可在恒德获取完美适配的最优“套餐”。

原厂级的深度技术支撑： 我们拥有一支精通电力电子系统设计的资深 FAE（现场应用工程师）团队。依托基本半导体国家级碳化硅工程实验室与青铜剑强大的驱动测试平台，我们不仅能为客户提供精准的拓扑选型，更能深入协助客户进行开关波形优化、热阻提取与散热仿真（PLECS）、以及棘手的 EMC（电磁兼容）抗扰度排查。

坚如磐石的供应链保障机制： 面对全球半导体供应链周期性的震荡，恒德新能源依托基本半导体在深圳光明、无锡新吴区等地的自有晶圆制造与模块全自动封测基地，构筑了极具弹性的本土供应链缓冲池。我们为战略级客户设立专属库存，承诺提供业内最可靠的交期保障与极具竞争力的价格体系。

站在电力电子行业的历史性拐点，碳化硅技术正以无可阻挡之势重塑世界的能源网络。深圳恒德新能源有限公司愿做您最坚实的后盾，依托基本半导体与青铜剑科技的技术巅峰，与您携手并肩，共同驱动新能源时代的绿色未来！